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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括数据存储图案的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112466877B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010915102.1，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权包括数据存储图案的半导体器件是由孙荣晥;丁相勋;洪祥准;姜书求;韩智勋设计研发完成，并于2020-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括数据存储图案的半导体器件在说明书摘要公布了：提供了包括数据存储图案的半导体器件。所述半导体器件包括：下结构；包括栅极层和层间绝缘层并且具有开口的堆叠结构；位于所述开口中的垂直结构；位于所述垂直结构上的接触结构；以及位于所述接触结构上的导电线。所述垂直结构包括绝缘芯区域、覆盖所述绝缘芯区域的侧表面和下表面的沟道半导体层、位于所述沟道半导体层与所述栅极层之间并且彼此间隔开的数据存储图案、第一电介质层和第二电介质层。所述第一电介质层的至少一部分位于所述数据存储图案与所述栅极层之间，所述第二电介质层的至少一部分位于所述数据存储图案与所述沟道半导体层之间，并且所述绝缘芯区域在面对所述栅极层的区域中包括具有增加的宽度的第一凸部。

本发明授权包括数据存储图案的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括： 下结构； 堆叠结构，所述堆叠结构位于所述下结构上并且具有开口； 垂直结构，所述垂直结构位于所述开口中； 接触结构，所述接触结构位于所述垂直结构上；以及 导电线，所述导电线位于所述接触结构上， 其中，所述堆叠结构包括多个栅极层和多个层间绝缘层， 其中，所述垂直结构包括绝缘芯区域、沟道半导体层、多个数据存储图案、第一电介质层和第二电介质层， 其中，所述绝缘芯区域沿垂直方向延伸，所述垂直方向垂直于所述下结构的上表面， 其中，所述沟道半导体层覆盖所述绝缘芯区域的侧表面和下表面， 其中，所述多个数据存储图案位于所述沟道半导体层与所述多个栅极层之间，并且在所述垂直方向上彼此间隔开， 其中，所述第一电介质层的至少一部分设置在所述多个数据存储图案与所述多个栅极层之间， 其中，所述第二电介质层的至少一部分设置在所述多个数据存储图案与所述沟道半导体层之间， 其中，所述绝缘芯区域在面对所述多个栅极层的区域中包括具有增加的宽度的多个第一凸部，并且 其中，所述多个数据存储图案中的每一者的上表面和下表面中的至少一者是凹形形状。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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