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龙图腾网获悉芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112071841B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010980690.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王喜龙;薛迎飞设计研发完成，并于2020-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：第一衬底，所述第一衬底具有相对的第一面和第二面，所述第一衬底内还具有若干沿垂直于第一衬底表面的方向重叠排布且相互分立的第一掺杂区和第二掺杂区，且所述第一面暴露出所述第一掺杂区表面；位于所述第一衬底内的栅极，所述栅极自第一面朝向第二面延伸，每个栅极贯穿1个第一掺杂区以及1个第二掺杂区；位于所述第一面上的若干字线；位于所述第一面上的若干位线；位于所述第二面的若干电容，且每个电容在第二面的投影与1个第二掺杂区在第二面的投影至少部分重合。从而，降低了存储器的制造工艺难度，并提高了存储器的存储容量。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 第一衬底，所述第一衬底具有相对的第一面和第二面，所述第一衬底内还具有若干沿垂直于第一衬底表面的方向重叠排布且相互分立的第一掺杂区和第二掺杂区，且所述第一面暴露出所述第一掺杂区表面； 位于所述第一衬底内的栅极，所述栅极自第一面朝向第二面延伸，每个栅极贯穿1个第一掺杂区以及1个第二掺杂区，所述栅极包括电极层、以及位于所述电极层与第一衬底之间的介质层，所述第一面暴露出所述电极层的顶面； 位于所述第一面上的若干字线，每个字线位于至少1个电极层的顶面，所述字线与所述电极层的顶面直接接触，若干所述栅极沿第一方向和第二方向呈阵列排布； 位于所述第一面上的若干位线，每个位线还至少位于1个第一掺杂区表面，且若干所述字线和位线之间绝缘； 位于第一衬底内的若干电容开口，所述第二面暴露出所述电容开口顶部，所述电容开口的宽度大于所述栅极的宽度； 位于所述第二面的若干电容，且每个电容在第二面的投影与1个第二掺杂区在第二面的投影至少部分重合，所述电容包括：位于电容开口侧壁表面和底部表面的第一电容电极层、位于所述第一电容电极层表面的电容介质层以及位于所述电容介质层表面的第二电容电极层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院，其通讯地址为：314400 浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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