三星电子株式会社金成玟获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111987092B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010436421.4，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权半导体装置是由金成玟;河大元设计研发完成，并于2020-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置包括有源图案，其包括沟道区。沟道区布置在第一方向上彼此间隔开的第一源极漏极图案与第二源极漏极图案之间以及所述第一方向上彼此间隔开的第二源极漏极图案之间。所述沟道区被构造为将所述第一源极漏极图案彼此连接以及将所述第二源极漏极图案彼此连接。栅电极布置在有源图案的底表面上，并且布置在第一源极漏极图案之间以及第二源极漏极图案之间。上互连线布置在与有源图案的底表面相对的有源图案的顶表面上，并且连接至第一源极漏极图案。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 有源图案，其包括沟道区，所述沟道区布置在第一方向上彼此间隔开的第一源极漏极图案以及第二源极漏极图案之间，所述沟道区被构造为将所述第一源极漏极图案和第二源极漏极图案彼此连接； 栅电极，其在所述有源图案的底表面上，并且布置在所述第一源极漏极图案和所述第二源极漏极图案之间；以及 上互连线，其布置在与所述有源图案的底表面相对的所述有源图案的顶表面上，并且连接至所述第一源极漏极图案， 其中，所述第一源极漏极图案包括： 第一部分，其邻近于所述有源图案的侧表面；以及 第二部分，其从所述第一部分延伸，并且突出至所述有源图案的顶表面上方， 其中，所述第二部分在所述第一方向上的宽度大于所述第一部分在所述第一方向上的宽度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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