株式会社迪思科F·韦获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利器件芯片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111863722B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010331857.7，技术领域涉及：H10P58/00；该发明授权器件芯片的制造方法是由F·韦设计研发完成，并于2020-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本器件芯片的制造方法在说明书摘要公布了：提供器件芯片的制造方法，能够抑制器件芯片的成本的高昂。器件芯片的制造方法包含如下的步骤：粘贴步骤ST2，将晶片粘贴于半导体锭的第1面上；分离步骤ST3，在实施了粘贴步骤ST2之后，将半导体锭分离而形成在半导体锭的一部分层叠在晶片上而得的层叠晶片和一部分被去除后的半导体锭；器件形成步骤ST4，在实施了分离步骤ST3之后，在层叠晶片的半导体锭侧的正面上设定交叉的多条分割预定线，并且在由分割预定线划分的各区域内分别形成器件；以及分割步骤ST5，在实施了器件形成步骤ST4之后，将层叠晶片沿着分割预定线进行分割而形成多个器件芯片。
本发明授权器件芯片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种器件芯片的制造方法，其中， 该器件芯片的制造方法具有如下的步骤： 粘贴步骤，将构成该器件芯片的一部分的晶片粘贴于半导体锭的第1面上； 分离步骤，在实施了该粘贴步骤之后，将该半导体锭分离，从而形成构成该器件芯片的一部分的该半导体锭的一部分层叠在该晶片上而得的层叠晶片和该一部分被去除后的半导体锭； 器件形成步骤，在实施了该分离步骤之后，在该层叠晶片的该半导体锭侧的正面上设定交叉的多条分割预定线，并且在由该分割预定线划分的各区域内分别形成器件；以及 分割步骤，在实施了该器件形成步骤之后，将由该半导体锭的一部分和该晶片层叠而成的该层叠晶片的整体沿着该分割预定线进行分割而形成多个器件芯片。
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