广西华芯振邦半导体有限公司赖金榜获国家专利权
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龙图腾网获悉广西华芯振邦半导体有限公司申请的专利一种芯片封装结构及电子设备获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223786534U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520074932.4,技术领域涉及:H10W72/29;该实用新型一种芯片封装结构及电子设备是由赖金榜;王政雄;邓光胜;张晏硕;廖雪妃;闭忠权;张琦伟设计研发完成,并于2025-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片封装结构及电子设备在说明书摘要公布了:本实用新型涉及芯片封装技术领域,公开了一种芯片封装结构及电子设备,其中芯片封装结构包括:晶圆、导电层、UBM层和凸块,晶圆的目标侧设有线路槽,导电层填充于晶圆的线路槽中,UBM层包括抗电迁移阻挡层和种子层,抗电迁移阻挡层覆盖于导电层上,种子层设置于抗电迁移阻挡层远离导电层的一侧,凸块设置于种子层远离抗电迁移阻挡层的一侧。可见,本实用新型的芯片封装结构通过在UBM层中配置抗电迁移阻挡层,能够防止在高电流密度下发生电迁移,避免了出现开路故障的情况,从而提高了芯片的可靠性。
本实用新型一种芯片封装结构及电子设备在权利要求书中公布了:1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括: 晶圆,所述晶圆的目标侧设有线路槽; 导电层,所述导电层填充于所述晶圆的线路槽中; UBM层,所述UBM层包括抗电迁移阻挡层和种子层,所述抗电迁移阻挡层覆盖于所述导电层上,所述种子层设置于所述抗电迁移阻挡层远离所述导电层的一侧; 凸块,所述凸块设置于所述种子层远离所述抗电迁移阻挡层的一侧。
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