日月光半导体制造股份有限公司江俊纬获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利接合结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223786533U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422573875.2，技术领域涉及：H10W72/29；该实用新型接合结构是由江俊纬;洪筠净;林咏胜设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本接合结构在说明书摘要公布了：本申请提出了一种接合结构，包括：下焊垫，接触所述下焊垫的上焊垫，以及包覆所述下焊垫和所述上焊垫的介电层；所述下焊垫和或所述上焊垫的内部具有多个孔洞；其中，靠近所述下焊垫和所述上焊垫的接合面的至少一个所述孔洞的内部没有用于构成所述介电层的介电材料。本申请的接合结构中，靠近下焊垫和上焊垫的接合面的孔洞内部中空，没有介电材料，以此可以提高接合良率。
本实用新型接合结构在权利要求书中公布了：1.一种接合结构，其特征在于，包括：下焊垫，接触所述下焊垫的上焊垫，以及包覆所述下焊垫和所述上焊垫的介电层；所述下焊垫和或所述上焊垫的内部具有多个孔洞；其中，靠近所述下焊垫和所述上焊垫的接合面的至少一个所述孔洞的内部没有用于构成所述介电层的介电材料。
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