上海瞬雷科技有限公司陈光品获国家专利权
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龙图腾网获悉上海瞬雷科技有限公司申请的专利在DFN0603封装中绝缘DAF膜的搭桥结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223786529U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520045539.2，技术领域涉及：H10W70/40；该实用新型在DFN0603封装中绝缘DAF膜的搭桥结构是由陈光品;李晖;陈佳乐设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本在DFN0603封装中绝缘DAF膜的搭桥结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体封装技术领域，提供了一种在DFN0603封装中绝缘DAF膜的搭桥结构，包括芯片、绝缘DAF膜以及DFN0603框架；所述DFN0603框架包括第一粘片区、第二粘片区且形成两个电极；所述芯片的两个电极均配置在所述芯片的正面，所述芯片的背面配置在所述绝缘DAF膜的上面，所述绝缘DAF膜的下面两侧分别配置在所述第一粘片区、第二粘片区上；其中，所述芯片上的一个电极通过一条引线连接所述第一粘片区，所述芯片上的另一个电极通过另一条引线连接所述第二粘片区。本实用新型提高了DFN0603框架外形可封装的芯片面积，提高器件的散热性能和过流能力，在相同封装外形的器件中性能更优。
本实用新型在DFN0603封装中绝缘DAF膜的搭桥结构在权利要求书中公布了：1.一种在DFN0603封装中绝缘DAF膜的搭桥结构，其特征在于，包括芯片1、绝缘DAF膜2以及DFN0603框架3； 所述DFN0603框架3包括第一粘片区31、第二粘片区32，所述第一粘片区31和第二粘片区32之间具有断开间隙33，第一粘片区31、第二粘片区32形成两个电极；所述芯片1的两个电极均配置在所述芯片1的正面，所述芯片1的背面配置在所述绝缘DAF膜2的上面，所述绝缘DAF膜2的下面跨越所述断开间隙33且两侧分别配置在所述第一粘片区31、第二粘片区32上；其中，所述芯片1上的一个电极通过一条引线4连接所述第一粘片区31，所述芯片1上的另一个电极通过另一条引线4连接所述第二粘片区32。
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