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龙图腾网获悉浙江谷蓝电子科技有限公司申请的专利一种新型功率模块封装模组获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223786527U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422413658.7，技术领域涉及：H10W70/40；该实用新型一种新型功率模块封装模组是由房军军;姚礼军;刘志红设计研发完成，并于2024-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型功率模块封装模组在说明书摘要公布了：本实用新型为一种新型功率模块封装模组，包括基板以及设置在基板上的多组芯片单元，所述芯片单元由至少一个SiCMOSFET芯片单元和至少一个siIGBT芯片单元组成，每个SiCMOSFET芯片单元和siIGBT芯片单元之间相互独立，且独立的SiCMOSFET芯片单元和独立的siIGBT芯片单元均通过软钎焊焊接或者银烧结工艺与底部的基板进行连接。本实用新型具有适应SiC芯片、IGBT芯片模块高工作结温环境，芯片本体结温分布均匀以及高可靠性的近芯片端连接，且发挥IGBT芯片在高电流下导通压降低，mosfet在低电流下导通压降低，结合不同的门级时序控制发挥各自性能极限等优点。

本实用新型一种新型功率模块封装模组在权利要求书中公布了：1.一种新型功率模块封装模组，包括基板1以及设置在基板1上的多组芯片单元，其特征在于：所述芯片单元由至少一个SiCMOSFET芯片单元2和至少一个siIGBT芯片单元3组成，每个SiCMOSFET芯片单元2和siIGBT芯片单元3之间相互独立，且独立的SiCMOSFET芯片单元2和独立的siIGBT芯片单元3均通过软钎焊焊接或者银烧结工艺与底部的基板1进行连接；所述SiCMOSFET芯片单元2由SIC基的mosfet芯片4，铜端子5，Si3N4绝缘陶瓷基板6组成，所述SIC基的mosfet芯片安装在Si3N4绝缘陶瓷基板6上，并在SIC基的mosfet芯片4上设置有铜端子5；所述siIGBT芯片单元3由SI基的IGBT芯片7，SI基的FWD芯片8,铜端子5和Si3N4绝缘陶瓷基板6组成，所述SI基的IGBT芯片7和SI基的FWD芯片8安装在Si3N4绝缘陶瓷基板6上，在SI基的FWD芯片8上设置有铜端子5；SIC基的mosfet芯片4和SI基的IGBT芯片7，SI基的FWD芯片8均通过Si3N4绝缘陶瓷基板6采用软钎焊焊接或者银烧结工艺与底部的基板1进行连接；所述基板1为散热铜基板，在散热铜基板上设置有Pinfin散热结构9，通过Pinfin散热结构9接触冷却液进行水冷散热。

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