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江西兆驰集成科技有限公司;江西兆驰半导体有限公司秦友林获国家专利权

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龙图腾网获悉江西兆驰集成科技有限公司;江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种高良率的LED芯片制备结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223786511U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422946106.2,技术领域涉及:H10P76/20;该实用新型一种高良率的LED芯片制备结构是由秦友林;鲁洋;黄硕珉;张星星;胡加辉;金从龙设计研发完成,并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

一种高良率的LED芯片制备结构在说明书摘要公布了:本实用新型提供一种高良率的LED芯片制备结构,包括绝缘层、位于所述绝缘层上的光刻胶层、及位于所述光刻胶层上的掩膜板,所述掩膜板上设有图形孔、及多个曝光通孔,所述图形孔包括纵向边沿、及横向边沿,所述曝光通孔位于所述横向边沿和所述掩膜板的外边沿之间,所述曝光通孔环绕所述横向边沿设置。本实用新型中的高良率的LED芯片制备结构,采用特殊的掩模板并利用光刻胶的热回流特性,使得所制备的光刻胶图案边缘有坡度且比较缓和,当ICP刻蚀时会使绝缘层侧壁的倾斜度变小,导致侧壁刻蚀出更缓和的坡度,利于金属电极薄膜在侧壁上均匀沉积,从而获得均匀分布的电流,避免了断路的情况,提升LED芯片的可靠性。

本实用新型一种高良率的LED芯片制备结构在权利要求书中公布了:1.一种高良率的LED芯片制备结构,其特征在于,包括绝缘层、位于所述绝缘层上的光刻胶层、及位于所述光刻胶层上的掩膜板,所述掩膜板上设有图形孔、及多个曝光通孔,所述图形孔包括纵向边沿、及横向边沿,所述曝光通孔位于所述横向边沿和所述掩膜板的外边沿之间,所述曝光通孔环绕所述横向边沿设置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人江西兆驰集成科技有限公司;江西兆驰半导体有限公司,其通讯地址为:330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号101厂房P102房间;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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