台湾积体电路制造股份有限公司林俊言获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223786406U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422956367.2，技术领域涉及：H10D84/85；该实用新型半导体装置是由林俊言;黄敬余;曾威程;林威呈;曾健庭设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本实用新型的各种实施例是关于一种半导体装置，所述半导体装置包括沿第一方向延伸的第一有源区层；沿不同于第一方向的第二方向延伸的第一扩散上方金属层，第一扩散上方金属层位于第一有源区层之上；在第一有源区层上方沿第二方向延伸的第一多晶硅栅极接触件；第一多晶硅栅极接触件的邻接第一介电区的第一多晶硅端部；以及位于第一介电区中的第一低k介电材料。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 第一有源区层，沿第一方向延伸； 第一扩散上方金属层，沿不同于所述第一方向的第二方向延伸，所述第一扩散上方金属层位于所述第一有源区层之上； 第一多晶硅栅极接触件，在所述第一有源区层上方沿所述第二方向延伸； 所述第一多晶硅栅极接触件的第一多晶硅端部，邻接第一介电区；以及 第一低介电常数介电材料，位于所述第一介电区中。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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