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龙图腾网获悉浙江中锂电科技有限公司申请的专利一种低成本MOS管高边开关电路结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223785946U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520189936.7，技术领域涉及：H02M1/00；该实用新型一种低成本MOS管高边开关电路结构是由李智赛;吴永辉;何栋栋设计研发完成，并于2025-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低成本MOS管高边开关电路结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及电路技术领域，特别涉及一种低成本MOS管高边开关电路结构，其特征在于：包括依次连接的PWM电压信号放大系统、PWM信号功率放大系统及升压电荷泵系统；所述升压电荷泵系统包括充放电电容、第一二极管、第二二极管、第一滤波电容、泄放电阻、驱动电阻、第二滤波电容、稳压二极管及MOS管；通过所述第一二极管与所述第二二极管与所述MOS管的连接路径上依次并联着的所述第一滤波电容、所述泄放电阻、所述第二滤波电容及所述稳压二极管，组成升压电路，形成电压转换的电路结构，如此设计，有效地降低了成本，扩展了MOS管高边开关电路的应用范围，使其能够在更多对成本控制有严格要求的场景中用于同时也推动了电路领域技术。

本实用新型一种低成本MOS管高边开关电路结构在权利要求书中公布了：1.一种低成本MOS管高边开关电路结构，其特征在于： 包括依次连接的PWM电压信号放大系统I、PWM信号功率放大系统II及升压电荷泵系统III； 所述PWM电压信号放大系统I用于放大电压设置； 所述PWM信号功率放大系统II用于放大电压信号功率设置； 所述升压电荷泵系统III包括充放电电容8、第一二极管10、第二二极管9、第一滤波电容11、泄放电阻12、驱动电阻13、第二滤波电容14、稳压二极管15及MOS管16； 所述充放电电容8一端连接于所述PWM信号功率放大系统II一端，所述充放电电容8的另一端分别与所述第一二极管10、所述第二二极管9的一端连接，所述第一二极管10另一端与所述驱动电阻13依次串联于所述MOS管16的源极上，所述第二二极管9另一端连接于所述MOS管16的栅极上； 所述第一二极管10与所述第二二极管9与所述MOS管16的连接路径上还依次并联着所述第一滤波电容11、所述泄放电阻12、所述第二滤波电容14及所述稳压二极管15，组成升压电路，形成电压转换的电路结构。

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