台湾积体电路制造股份有限公司胡凡获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体光子装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223784528U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422835813.4，技术领域涉及：G02B6/42；该实用新型半导体光子装置是由胡凡;徐英杰;陈相甫;洪嘉明设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体光子装置在说明书摘要公布了：本新型的实施例提供一种半导体光子装置包括光调变器结构和半导体光子装置的一个或多个介电层中的调变器加热器结构。调变器加热器结构周围包含隔离沟渠，以减少热应力可能导致介电层损坏的可能性。隔离沟渠可以包括穿过介电层的气隙，并且在半导体光子装置的俯视图中，气隙围绕调变器加热器结构。隔离沟渠减少了介电层中吸收的热量，因为隔离沟渠将调变器加热器结构与介电层热隔离。这降低了介电层出现破裂、分层和或其他类型损坏的可能性，否则这些损坏可能是由介电层的热应力引起的。
本实用新型半导体光子装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体光子装置，其特征在于，包括： 衬底； 所述衬底一个或多个第一介电层； 所述一个或多个第一介电层之上的刻蚀停止层； 所述刻蚀停止层之上的多个第二介电层； 在所述一个或多个第一介电层中的光调变器结构； 在所述多个第二介电层中的一个或多个中的调变器加热器结构， 其中所述调变器加热器结构位于所述光调变器结构之上；以及 穿过所述多个第二介电层的隔离沟渠， 其中所述隔离沟渠终止于所述刻蚀停止层，以及 其中在所述半导体光子装置的俯视图中，所述隔离沟渠围绕所述调变器加热器结构。
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