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龙图腾网获悉无锡华瑛微电子技术有限公司申请的专利半导体处理装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223784012U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422632816.8，技术领域涉及：G01N1/34；该实用新型半导体处理装置是由温子瑛;沈柯睿设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体处理装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种半导体处理装置。所述半导体处理装置包括第一腔室部、可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部。第一腔室部具有在其内壁表面形成的第一段凹槽道和第二段凹槽道，第二腔室部具有在其内壁表面形成的第三段凹槽道和第四段凹槽道，第一段凹槽道和第三段凹槽道连通并共同形成第一段边缘通道，第二段凹槽道和第四段凹槽道连通并共同形成第二段边缘通道，所述晶圆的一部分边缘伸入第一段边缘通道，所述晶圆的另一部分边缘伸入第二段边缘通道。第二段边缘通道和第二段边缘通道相互独立。这样，利用第二段边缘通道和第二段边缘通道分别对所述晶圆的对应边缘进行高精度的、便利的污染提取。

本实用新型半导体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体处理装置，其特征在于，其包括： 第一腔室部； 可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，晶圆能够容纳于第一腔室部和第二腔室部之间，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，所述晶圆能够被取出或放入； 第一腔室部具有在其内壁表面形成的第一段凹槽道和第二段凹槽道，第二腔室部具有在其内壁表面形成的第三段凹槽道和第四段凹槽道，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且第二腔室部和第一腔室部之间容纳有所述晶圆时，第一段凹槽道和第三段凹槽道连通并共同形成第一段边缘通道，第二段凹槽道和第四段凹槽道连通并共同形成第二段边缘通道，所述晶圆的一部分边缘伸入第一段边缘通道，所述晶圆的另一部分边缘伸入第二段边缘通道， 第二腔室部或第一腔室部具有将所述第一段边缘通道与外部连通的第一通孔和第三通孔，以及将所述第二段边缘通道与外部连通的第二通孔和第四通孔，第一通孔和第三通孔中的一个通孔作为第一段边缘通道的入口，第一通孔和第三通孔中的另一个通孔作为第一段边缘通道的出口，第二通孔和第四通孔中的一个通孔作为第二段边缘通道的入口，第二通孔和第四通孔中的另一个通孔作为第二段边缘通道的出口， 驱动提取液通过对应的入口进入第一段边缘通道，所述提取液流过所述第一段边缘通道并通过对应的出口流出， 驱动提取液通过对应的入口进入第二段边缘通道，所述提取液流过所述第二段边缘通道并通过对应的出口流出。

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