中微半导体设备(上海)股份有限公司朱泉松获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利化学气相沉积设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223780363U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423319091.3，技术领域涉及：C23C16/56；该实用新型化学气相沉积设备是由朱泉松;庄宇峰;吕术亮;李远设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本化学气相沉积设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种化学气相沉积设备，具有热退火功能，化学气相沉积设备包括：反应腔；底座，位于所述反应腔内部，所述底座内设置加热模块，用于将所述底座上承载的衬底加热至第一温度；工艺气体供应装置，位于所述反应腔外部，用于提供工艺气体；进气装置，与所述工艺气体供应装置连接，用于向所述反应腔通入气体；真空抽气口，设置在所述反应腔的底部，用于抽出所述反应腔内的气体；退火加热模块，位于所述反应腔的顶壁的外部，用于将所述衬底辐射加热至大于所述第一温度的第二温度。本实用新型可以实现在一台设备中对衬底进行薄膜沉积以及热退火，提高薄膜质量和生产效率。
本实用新型化学气相沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种化学气相沉积设备，其特征在于，具有热退火功能，所述化学气相沉积设备包括： 反应腔； 底座，位于所述反应腔内部，所述底座内设置加热模块，用于将所述底座上承载的衬底加热至第一温度，所述衬底含硅； 工艺气体供应装置，位于所述反应腔外部，用于提供工艺气体； 进气装置，与所述工艺气体供应装置连接，用于向所述反应腔通入气体； 真空抽气口，设置在所述反应腔的底部，用于抽出所述反应腔内的气体； 退火加热模块，位于所述反应腔的顶壁的外部，用于将所述衬底辐射加热至大于所述第一温度的第二温度。
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