中微半导体设备(上海)股份有限公司黄稳获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种隔离结构及化学气相沉积装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223780362U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520123428.9，技术领域涉及：C23C16/505；该实用新型一种隔离结构及化学气相沉积装置是由黄稳;李勇志;姜勇;陆顺开设计研发完成，并于2025-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种隔离结构及化学气相沉积装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种隔离结构及化学气相沉积装置，其中所述隔离结构设置于气相沉积装置的反应腔内，所述反应腔内设有加热装置，其包括：第一环形罩，其包含用于容纳所述加热装置的第一空间；第二环形罩，其套设在第一环形罩上；所述第二环形罩的环宽大于所述第一环形罩的环宽，使所述第一环形罩和所述第二环形罩之间形成空腔。所述隔离结构阻断了反应腔内的反应气体的流动路径，减少了反应气体对射频感应线圈和反应腔底壁的腐蚀；同时隔绝了晶圆托盘对射频感应线圈的辐射散热，进而减弱了热辐射对射频感应线圈的温度影响，有利于提高薄膜沉积的均匀性。
本实用新型一种隔离结构及化学气相沉积装置在权利要求书中公布了：1.一种隔离结构，设置于气相沉积装置的反应腔内，其特征在于，所述反应腔内设有加热装置，所述隔离结构包括： 第一环形罩，其包含用于容纳所述加热装置的第一空间； 第二环形罩，其套设在所述第一环形罩上； 所述第二环形罩的环宽大于所述第一环形罩的环宽，使所述第一环形罩和所述第二环形罩之间形成空腔。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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