杭州富芯半导体有限公司马虎彦获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种沉积装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223780355U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423032129.9，技术领域涉及：C23C16/455；该实用新型一种沉积装置是由马虎彦;李文强设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沉积装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种沉积装置，包括工艺腔和气化结构；工艺腔上设有第一类进气口和第二类进气口；气化结构设在工艺腔外，且气化结构与第二类进气口连接。利用该沉积装置执行BCD工艺时，气体原料从第一类进气口进入工艺腔并在位于工艺腔内的基底上沉积形成SiN薄膜，之后液体原料进入气化结构气化再从第二类进气口进入工艺腔，并在SiN薄膜进一步沉积形成SiO22薄膜，无需将沉积了SiN薄膜的基底取出并转移至另一沉积装置，也就避免了基底上的SiN薄膜与外界空气接触而污染所导致的产品良率下降的问题，同时取消基底流转的步骤，还可以缩短BCD工艺的时间，提高产率。
本实用新型一种沉积装置在权利要求书中公布了：1.一种沉积装置，其特征在于，包括工艺腔和气化结构；所述工艺腔上设置有第一类进气口和第二类进气口；所述气化结构设置在所述工艺腔的外部，且所述气化结构与所述第二类进气口连接； 所述气化结构包括管体和加热丝，所述管体包括加热段，所述加热丝缠绕在所述加热段的外表面上； 所述加热段的数量为多个，多个所述加热段在所述管体的轴向上相互连接；在所述管体的轴向上相邻的两个所述加热段中靠近所述第二类进气口的所述加热段的内径大于远离所述第二类进气口的所述加热段的内径。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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