中微半导体设备(上海)股份有限公司杜冰洁获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种化学气相沉积装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223780352U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520172387.2，技术领域涉及：C23C16/44；该实用新型一种化学气相沉积装置是由杜冰洁;路今;姜银鑫设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种化学气相沉积装置在说明书摘要公布了：一种化学气相沉积装置，包括：反应腔，反应腔包括反应腔侧壁和反应腔底壁；基座，位于反应腔内，基座包括基座侧壁，基座侧壁和反应腔侧壁之间包括一容纳区域；其特征在于，装置还包括：隔离板，位于容纳区域内并将容纳区域划分为一环形的排气腔和一环形的存储空间，排气腔位于隔离板和基座侧壁或反应腔侧壁之间，存储空间位于隔离板和反应腔侧壁或基座侧壁之间；隔离板的上边缘和基座侧壁反应腔侧壁之间具有一环形的第一开口，气流经过第一开口进入排气腔内，并且第一开口的朝向与基座侧壁反应腔侧壁平行。本实用新型提供的化学气相沉积装置能够防止沉积物堵塞排气口，改善反应腔内气流的均匀性，同时加工过程简单。
本实用新型一种化学气相沉积装置在权利要求书中公布了：1.一种化学气相沉积装置，包括： 反应腔，所述反应腔包括反应腔侧壁和反应腔底壁； 基座，位于所述反应腔内，所述基座包括基座侧壁，所述基座侧壁和反应腔侧壁之间包括一容纳区域；其特征在于，所述装置还包括： 隔离板，所述隔离板位于所述容纳区域内并将所述容纳区域划分为一环形的排气腔和一环形的存储空间，所述排气腔位于所述隔离板和所述基座侧壁或所述反应腔侧壁之间并与一排气装置联通，所述存储空间位于所述隔离板和所述反应腔侧壁或所述基座侧壁之间；其中， 所述隔离板的上边缘和所述基座侧壁反应腔侧壁之间具有一环形的第一开口，气流经过所述第一开口进入所述排气腔内，并且所述第一开口的朝向与所述基座侧壁反应腔侧壁平行。
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