中微半导体设备(上海)股份有限公司陆顺开获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种化学气相沉积装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223780351U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520086318.X，技术领域涉及：C23C16/44；该实用新型一种化学气相沉积装置是由陆顺开;周子琛;张辉设计研发完成，并于2025-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种化学气相沉积装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种化学气相沉积装置，其反应腔内设有基座和排气环，排气环位于基座下方，排气环包括顶盖、排气通道、排气腔和抽气口，顶盖位于排气通道的上方，排气通道的外侧壁上设有开口朝向为非竖直方向的排气口，排气口为连续的环形开口，工艺过程中产生的废气依次经排气口、排气通道、排气腔和抽气口离开反应腔；排气环还包括设置于排气通道或排气腔中的限流环，限流环上开设有废气通道；排气通道的外侧壁与腔室壁之间形成用于存储工艺过程中产生的沉积物的存储区。环形开口的排气口能够降低在存储区形成将存储区中的沉积物反卷到晶圆表面的涡流的概率。限流环有利于在反应腔内形成更加均匀的流场。
本实用新型一种化学气相沉积装置在权利要求书中公布了：1.一种化学气相沉积装置，其特征在于， 所述化学气相沉积装置包括反应腔，所述反应腔包括腔室壁； 所述反应腔内设有基座和排气环，所述排气环位于所述基座下方，所述排气环包括顶盖、排气通道、排气腔和抽气口，所述顶盖位于所述排气通道的上方，所述排气通道的迎风侧壁上设有开口朝向为非竖直方向的排气口，所述排气口为连续的环形开口，所述排气腔位于所述排气通道的下方，工艺过程中产生的废气依次经所述排气口、排气通道、排气腔和抽气口离开所述反应腔； 所述排气环还包括设置于所述排气通道或排气腔中的限流环，所述限流环上开设有废气通道； 所述排气通道的迎风侧壁与所述腔室壁之间形成用于存储工艺过程中产生的沉积物的存储区。
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