深圳平湖实验室朱磊获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利一种碳化硅功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121099672B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511648669.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种碳化硅功率器件是由朱磊;罗曦溪;陈刚;万玉喜设计研发完成，并于2025-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅功率器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种碳化硅功率器件，包括：有源区，形成有碳化硅功率器件的有源结构。终端区围绕有源区的外围设置，终端区包括：碳化硅外延层和叠层设置于碳化硅外延层上的至少一层无机绝缘层。其中，终端区包括至少一个一级沟槽，一级沟槽在厚度方向上贯穿各无机绝缘层并延伸至碳化硅外延层的内部。在终端区设置一级沟槽结构，使得碳化硅外延层在高温高压环境下的应力能够释放。同时，一级沟槽结构也能够缓解无机绝缘层所受的应力，解决因应力集中导致的膜层开裂问题，从而提升器件在工作状态下的结构稳定性与可靠性。
本发明授权一种碳化硅功率器件在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅功率器件，其特征在于，包括： 有源区，形成有碳化硅功率器件的有源结构； 终端区，围绕所述有源区的外围设置；所述终端区包括：碳化硅外延层和叠层设置于所述碳化硅外延层上的至少一层无机绝缘层； 其中，所述终端区包括至少一个一级沟槽和一个次级沟槽；所述次级沟槽与所述一级沟槽间隔设置；所述一级沟槽在厚度方向上贯穿各所述无机绝缘层并延伸至所述碳化硅外延层的内部;所述次级沟槽在厚度方向贯穿至少一层所述无机绝缘层; 所述至少一层无机绝缘层包括场氧层，所述场氧层覆盖于所述碳化硅外延层之上； 所述一级沟槽贯穿所述场氧层并延伸至所述碳化硅外延层的内部；所述次级沟槽仅贯穿所述场氧层。
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