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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利一种晶体管及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038327B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511582900.6，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种晶体管及电子设备是由刘妍;李翔;范梦绮;王砚秋;刘绍军;张道华;王晓萍;万玉喜设计研发完成，并于2025-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶体管及电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种晶体管及电子设备，采用GaAsSbInGaAs异质结材料，可以通过调整P+型GaAsSb层的掺杂浓度、InGaAs层中In组分以及InGaAs层和P+型GaAsSb层的侧面倾斜角度等参数，使得GaAsSbInGaAs在能带结构和器件结构的调整上更加灵活，可以有效增加载流子的隧穿几率，增强栅控能力，从而可以降低隧穿场效应晶体管的亚阈值摆幅和增大导通电流，因此本公开在不增加器件制备复杂度的前提下，可以实现GaAsSbInGaAs隧穿场效应晶体管的器件性能的显著提升。

本发明授权一种晶体管及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其特征在于，包括： InP衬底； N+型InGaAs层，位于所述InP衬底的一侧；所述N+型InGaAs层远离所述InP衬底的表面具有台阶结构，所述台阶结构包括：台阶顶面，位于所述台阶顶面外围的台阶底面，以及连接所述台阶顶面和所述台阶底面的台阶斜面； InGaAs层和漏极，所述InGaAs层位于所述台阶顶面上，所述漏极位于所述台阶底面上，且所述漏极覆盖所述台阶底面的边缘区域； P+型GaAsSb层，位于所述InGaAs层远离所述InP衬底的一侧；所述InGaAs层和所述P+型GaAsSb层的侧面倾斜角度为65~80°； 源极，位于所述P+型GaAsSb层远离所述InP衬底的一侧，所述源极覆盖所述P+型GaAsSb层的中间区域； 介质层，覆盖所述源极和所述漏极之间的区域；所述介质层包括：覆盖所述P+型GaAsSb层顶面边缘区域的第一子介质层，覆盖所述P+型GaAsSb层侧面、所述InGaAs层侧面和所述台阶斜面的第二子介质层，以及覆盖部分所述台阶底面的第三子介质层；所述第一子介质层、所述第二子介质层和所述第三子介质层为一体结构； 栅极，位于所述介质层远离所述InP衬底的一侧，所述栅极覆盖部分所述第一子介质层、覆盖所述第二子介质层和覆盖部分所述第三子介质层，以使所述栅极与所述源极、所述漏极均通过所述介质层绝缘设置。

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