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龙图腾网获悉深圳平湖实验室;西安理工大学申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120980919B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511494428.0，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体器件是由汪雅馨;杨媛;夏云;武文强;陈刚;王珩;王曦;万玉喜设计研发完成，并于2025-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决半导体器件电场分布不均匀问题；该半导体器件，包括：衬底、外延层、源极、漏极、栅极和电场调制区；外延层设于衬底上；源极、漏极和栅极嵌设于外延层；电场调制区，设于外延层远离衬底的一侧，且嵌设于外延层；电场调制区包括相互连接的第一电场调制子区和第二电场调制子区，第二电场调制子区包括第一部分和第二部分；第一部分位于第一电场调制子区远离衬底的一侧，第二部分位于第一电场调制子区远离漏极的一侧；第一部分和第二部分相连接，第一电场调制子区的掺杂类型与外延层的掺杂类型相同，第二电场调制子区的掺杂类型与外延层的掺杂类型不同；掺杂类型为P型掺杂和N型掺杂。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，设于所述衬底上； 源极、漏极和栅极，设于所述外延层远离所述衬底的一侧；所述源极和所述漏极嵌设于所述外延层，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间； 电场调制区，设于所述外延层远离所述衬底的一侧，且嵌设于所述外延层，且设于所述漏极和所述栅极之间；所述电场调制区包括第一电场调制子区和第二电场调制子区，所述第二电场调制子区包括第一部分和第二部分；所述第一部分位于所述第一电场调制子区远离所述衬底的一侧，且与所述第一电场调制子区接触；所述第二部分位于所述第一电场调制子区远离所述漏极的一侧，且与所述第一电场调制子区接触；所述第一部分和所述第二部分相连接； 所述第一电场调制子区的掺杂类型与所述外延层的掺杂类型相同，所述第二电场调制子区的掺杂类型与所述外延层的掺杂类型不同；所述掺杂类型为P型掺杂或N型掺杂。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳平湖实验室;西安理工大学，其通讯地址为：518116 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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