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龙图腾网获悉浙江力积存储科技股份有限公司申请的专利自适应SLT测试方法、装置、设备和介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120973611B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511501968.7，技术领域涉及：G06F11/22；该发明授权自适应SLT测试方法、装置、设备和介质是由张泽衍;刘石柱设计研发完成，并于2025-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本自适应SLT测试方法、装置、设备和介质在说明书摘要公布了：本公开实施例提供的自适应SLT测试方法、装置、设备和介质，包括：根据待测试内存颗粒的特性信息，确定待测试内存颗粒的类型信息；根据待测试内存颗粒的类型信息，获取类型信息下待测试内存颗粒的物理地址映射规则，并生成对应的地址转换函数；根据待测试内存颗粒的测试目标，对待测试内存颗粒的标准时序参数进行修正得到目标时序参数；获取待测试内存颗粒的特定缺陷模式测试序列；获取待测试内存颗粒在测试过程中的温度信息，并根据待测试内存颗粒的温度‑电荷保持特性曲线模型，确定待测试内存颗粒的目标刷新频率；根据实际地址、目标时序参数、特定缺陷模式测试序列和目标刷新频率，对待测试内存颗粒进行测试，得到测试结果。

本发明授权自适应SLT测试方法、装置、设备和介质在权利要求书中公布了：1.一种支持不同类型内存颗粒的自适应SLT测试方法，其特征在于，包括： 根据待测试内存颗粒的特性信息，确定待测试内存颗粒的类型信息，其中，所述特性信息至少包括制造商标识信息、DRAM部件号信息、密度信息、位宽信息和DRAM修订版本信息； 根据所述待测试内存颗粒的类型信息，获取所述类型信息下待测试内存颗粒的物理地址映射规则，并生成对应的地址转换函数，以通过所述地址转换函数将所述待测试内存颗粒虚拟地址转换为实际地址； 根据所述待测试内存颗粒的测试目标，对所述待测试内存颗粒的标准时序参数进行修正得到目标时序参数； 获取所述待测试内存颗粒的特定缺陷模式测试序列； 获取所述待测试内存颗粒在测试过程中的温度信息，并根据所述待测试内存颗粒的温度-电荷保持特性曲线模型，确定所述待测试内存颗粒的目标刷新频率； 根据所述实际地址、所述目标时序参数、所述特定缺陷模式测试序列和所述目标刷新频率，对所述待测试内存颗粒进行测试，得到测试结果； 所述获取所述待测试内存颗粒在测试过程中的温度信息，并根据所述待测试内存颗粒的温度-电荷保持特性曲线模型，确定所述待测试内存颗粒的目标刷新频率，包括： 获取所述待测试内存颗粒在测试过程中的温度信息； 根据所述待测试内存颗粒的温度-电荷保持特性曲线模型，确定所述待测试内存颗粒维持电荷所需的最大刷新间隔； 根据所述待测试内存颗粒维持电荷所需的最大刷新间隔，确定所述待测试内存颗粒的目标刷新频率。

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