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龙图腾网获悉无锡宏仁电子材料科技有限公司申请的专利一种超低损耗介质的覆铜板树脂组合物及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120966204B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511500261.4，技术领域涉及：C08L63/00；该发明授权一种超低损耗介质的覆铜板树脂组合物及其制备方法是由顾晨虎;汝振生;周飞设计研发完成，并于2025-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超低损耗介质的覆铜板树脂组合物及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电子材料技术领域，具体涉及一种超低损耗介质的覆铜板树脂组合物及其制备方法。该组合物包含改性聚苯醚、双环戊二烯环氧树脂、三官能环氧树脂、活性酯、氰酸酯、DMAP、球形二氧化硅和POSS‑二氧化硅复合物组分；通过将双峰球形二氧化硅进行表面降冰片烯基化修饰，并与末端带四嗪基的八对氨基苯基聚倍半硅氧烷通过点击反应制备POSS‑二氧化硅复合物，构建了具有梯度模量的界面过渡层。本发明实现了介电损耗、热机械性能和界面结合强度的协同优化，具有低介电损耗、高热稳定性和高剥离强度等优异性能，适用于5G通信、高频电子设备等领域。

本发明授权一种超低损耗介质的覆铜板树脂组合物及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超低损耗介质的覆铜板树脂组合物，其特征在于，包括以下重量份数原料：90-220份二甲苯、20-75份改性聚苯醚、100-330份双环戊二烯环氧树脂、15-50份三官能环氧树脂、120-450份活性酯、9-27份氰酸酯、0.05-0.2份DMAP、117-378份球形二氧化硅、13-42份POSS-二氧化硅复合物； 所述POSS-二氧化硅复合物的制备步骤如下： S1：将小粒径二氧化硅、大粒径二氧化硅、无水甲苯、乙烯基三甲氧基硅烷、去离子水、冰醋酸混匀，回流搅拌，纯化，得到表面乙烯基化的双峰球形二氧化硅； S2：将表面乙烯基化的双峰球形二氧化硅、5-降冰片烯-2-硫醇、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、甲苯混匀后，在紫外光照射下得到表面带降冰片烯基的二氧化硅； S3：在氮气氛围下，将八对氨基苯基聚倍半硅氧烷、多聚甲醛、3,6-二氯-1,2,4,5-四嗪、二氯甲烷、三乙胺混匀，搅拌，纯化，得到末端带四嗪基的八对氨基苯基聚倍半硅氧烷； S4：将末端带四嗪基的八对氨基苯基聚倍半硅氧烷、表面带降冰片烯基的二氧化硅、甲苯混匀，在150℃保温15-30min，纯化，得到POSS-二氧化硅复合物； 步骤S1中所述小粒径二氧化硅的粒径为0.2μm；大粒径二氧化硅的粒径为2μm； 步骤S1中所述小粒径二氧化硅、大粒径二氧化硅、无水甲苯、乙烯基三甲氧基硅烷、去离子水、冰醋酸的用量比为30-35g:70-75g:500-700mL:13-15g:10-20g:1-2g； 步骤S2中所述表面乙烯基化的双峰球形二氧化硅、5-降冰片烯-2-硫醇、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、甲苯的用量比为100-110g:2-4g:1-2g:100-150mL； 步骤S3中所述八对氨基苯基聚倍半硅氧烷、多聚甲醛、3,6-二氯-1,2,4,5-四嗪、二氯甲烷、三乙胺的用量比为14-16g:1-3g:4-6g:150-300mL:6-10g； 步骤S4中所述末端带四嗪基的八对氨基苯基聚倍半硅氧烷、表面带降冰片烯基的二氧化硅、甲苯的用量比为15-20g:100-105g:300-500mL。

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