极芯拓方技术(上海)有限公司吕开敏获国家专利权
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龙图腾网获悉极芯拓方技术(上海)有限公司申请的专利半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120933165B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511453105.7，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权半导体器件的制造方法是由吕开敏;陈军;张文豪;李甫东设计研发完成，并于2025-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体技术领域，提供了一种半导体器件的制造方法。该制造方法包括：从晶圆的第一面修整晶圆的边缘区形成台阶，台阶包括台阶面和台阶侧面，台阶面的宽度小于等于边缘区的宽度；在晶圆的第一面和台阶侧面形成粘合层，以将晶圆固定在载片上；其中，台阶面包括沿晶圆周向排布的多个区域，多个区域中的第一区域与粘合层的接触面积小于第二区域与粘合层的接触面积；从第二面切割第一区域所在的边缘区，切口从第二面延伸到台阶面；从第二面对晶圆执行减薄工艺。本公开通过在减薄工艺前对第一区域所在的边缘区进行切割，减小台阶面的宽度以使晶圆减薄处理中第一区域受到的力矩减小，降低边缘压塌的风险，从而提高芯片的良率和可靠性。
本发明授权半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供晶圆，所述晶圆具有相对的第一面和第二面； 从所述第一面修整所述晶圆的边缘区形成台阶；所述台阶包括台阶面和台阶侧面，所述台阶面连接所述晶圆的侧面，所述台阶面的宽度小于等于所述边缘区的宽度，所述台阶侧面连接所述台阶面和所述第一面； 在所述晶圆的第一面和所述台阶侧面形成粘合层，以将所述晶圆固定在载片上；其中，所述台阶面包括沿所述晶圆周向排布的多个区域，所述多个区域包括第一区域和第二区域，所述第一区域与所述粘合层的接触面积小于所述第二区域与所述粘合层的接触面积； 从所述第二面切割所述第一区域所在的边缘区，切口从所述第二面延伸到所述台阶面；切割后的第一区域的宽度大于等于零且小于等于预设值； 在所述切割步骤之后，从所述第二面对所述晶圆执行减薄工艺。
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