上海邦芯半导体科技有限公司王士京获国家专利权
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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种光学眼镜内部刻蚀结构及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120871317B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511403779.6,技术领域涉及:G02B5/18;该发明授权一种光学眼镜内部刻蚀结构及其制备方法是由王士京;张名瑜;李俭;胥沛雯;朱亚迪;陈刚;张骞设计研发完成,并于2025-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光学眼镜内部刻蚀结构及其制备方法在说明书摘要公布了:本申请公开了一种光学眼镜内部刻蚀结构及其制备方法,包括在碳化硅层表面上形成铬图形,对铬图形的表面进行活化处理,采用原子层沉积工艺,在铬图形的表面上形成氧化铝层进行原位钝化,并在铬图形的侧面上形成表面光滑的侧墙层,以带有侧墙层的铬图形为掩膜,对碳化硅层进行刻蚀,形成刻蚀结构,并使侧墙层的表面光滑形貌通过图形转移传递至刻蚀结构的侧壁上;在刻蚀结构中填充旋涂有机碳层,并使旋涂有机碳层的顶部位于碳化硅层的表面以上,然后去除侧墙层和铬图形,再去除剩余的旋涂有机碳层。本申请能够在刻蚀结构制备过程中,实现对侧壁的均匀性处理,适用于增强制备的光学眼镜的光学性能、生物相容性及长期稳定性。
本发明授权一种光学眼镜内部刻蚀结构及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种光学眼镜内部刻蚀结构制备方法,其特征在于,包括: 提供具有碳化硅层的衬底; 采用光刻和刻蚀工艺,在所述碳化硅层远离所述衬底的表面上形成多个作为掩膜的铬图形,并使用第一中性粒子对所述铬图形的露出表面进行活化处理; 在第一温度下,采用原子层沉积工艺,在所述铬图形的露出表面上形成氧化铝层,以对所述铬图形的表面进行原位钝化; 在第二温度下,对所述氧化铝层进行回刻,以在所述铬图形的侧面上形成目标厚度且表面光滑的侧墙层; 在第三温度下,以带有所述侧墙层的所述铬图形为掩膜,对所述碳化硅层的露出表面进行刻蚀,在所述碳化硅层中形成目标深宽比的刻蚀结构,并使所述侧墙层的表面光滑形貌通过图形转移传递至所述刻蚀结构的侧壁上; 在所述刻蚀结构中填充旋涂有机碳层,并在第四温度下,对所述旋涂有机碳层进行回刻,使所述旋涂有机碳层的顶部位于所述碳化硅层远离所述衬底的表面以上,并露出所述侧墙层和所述铬图形; 在第五温度下,刻蚀去除所述侧墙层和所述铬图形;然后在第六温度下,刻蚀去除剩余的所述旋涂有机碳层; 所述第一温度、所述第二温度、所述第三温度、所述第四温度、所述第五温度和所述第六温度均低于100℃。
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