中芯热成科技(北京)有限责任公司谭伊玫获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯热成科技(北京)有限责任公司申请的专利光谱芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120847054B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511342635.4，技术领域涉及：G01N21/64；该发明授权光谱芯片是由谭伊玫;刘雁飞设计研发完成，并于2025-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本光谱芯片在说明书摘要公布了：本公开涉及光谱芯片，该光谱芯片包括：基底、介质光波导、光致发光结构以及光电探测器；其中，介质光波导位于基底的一侧；光致发光结构位于介质光波导的一侧，且与介质光波导位于基底的同一侧；光电探测器与介质光波导和光致发光结构位于基底的同一侧，且光电探测器与光致发光结构位于介质光波导的不同侧。由此利于实现光谱芯片的集成化、小型便携化以及多功能化。
本发明授权光谱芯片在权利要求书中公布了：1.一种光谱芯片，其特征在于，包括： 基底； 介质光波导，位于所述基底的一侧； 光致发光结构，位于所述介质光波导的一侧，且与所述介质光波导位于所述基底的同一侧； 光电探测器，与所述介质光波导和所述光致发光结构位于所述基底的同一侧，且所述光电探测器与所述光致发光结构位于所述介质光波导的不同侧； 所述光谱芯片还包括： 激光光源，用于照射所述介质光波导中通过的待检测气体； 其中，所述光致发光结构响应于与所述待检测气体相对应的光谱段的光而发出可见光，所述光电探测器响应于对应的可见光而形成光电流； 其中，基于所述光致发光结构增加可视的彩色图像信息，将所述待检测气体对应的气体信息转化为可见的光学信息； 所述光谱芯片为基于斯托克斯位移的光谱芯片，所述光电探测器的吸收响应光谱与所述光致发光结构的发光光谱至少部分交叠； 将斯托克斯位移原理应用在气体检测中，将气体探测种类映射到光致发光结构的光致发光色彩上，用于即刻判断气体种类；并且通过将光强信息转换为电流信息，将气体浓度进行映射量化。
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