杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种具有栅极纳米片的MOSFET结构及其制造工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120812967B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511271193.9，技术领域涉及：H10D30/00；该发明授权一种具有栅极纳米片的MOSFET结构及其制造工艺是由许一力;李鑫;杨琦设计研发完成，并于2025-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有栅极纳米片的MOSFET结构及其制造工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具有栅极纳米片的MOSFET结构及其制造工艺，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个MOS元胞包括有漏极、半导体外延层、栅极、栅氧化层和源极，半导体外延层包括有N衬底层、N漂移层、N阱层、P+层和P阱层，栅极包括栅极覆盖层和栅极纳米片；单个MOS元胞中栅极纳米片有若干个，并且若干个该栅极纳米片呈水平矩阵分布，栅极纳米片延伸至栅极覆盖层的内部并与其直接接触。本发明通过水平矩阵分布的纳米片栅极与高导电性覆盖层的三维嵌入式接触，显著增强沟道静电控制能力，同时降低栅极电阻，实现更高电流驱动密度和更优开关特性，突破传统平面器件的物理限制。
本发明授权一种具有栅极纳米片的MOSFET结构及其制造工艺在权利要求书中公布了：1.一种具有栅极纳米片的MOSFET结构，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个所述MOS元胞包括有漏极1、半导体外延层、栅极、栅氧化层4和源极5，所述半导体外延层包括有N衬底层6、N漂移层7、N阱层8、P+层9和P阱层10，其特征在于：所述栅极包括栅极覆盖层2和栅极纳米片3； 单个所述MOS元胞中栅极纳米片3有若干个，并且若干个该栅极纳米片3呈水平矩阵分布，所述栅极纳米片3延伸至栅极覆盖层2的内部并与其直接接触。
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