中芯热成科技(北京)有限责任公司谭伊玫获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯热成科技(北京)有限责任公司申请的专利一种CsPbX3/HgTe量子点材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120775592B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511254882.9，技术领域涉及：C09K11/88；该发明授权一种CsPbX3/HgTe量子点材料及其制备方法和应用是由谭伊玫;刘雁飞设计研发完成，并于2025-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种CsPbX3/HgTe量子点材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及光电探测技术领域，尤其涉及一种CsPbX33HgTe量子点材料及其制备方法和应用。本发明制备得到的CsPbX33HgTe量子点材料利用甲基将CsPbX33量子点和HgTe量子点连接形成纳米级异质结，且CsPbX33量子点表面包覆硅层，有效将二者载流子隔绝形成耗尽层，进而在两种量子点材料之间形成电场，促使碲化汞量子点的载流子分离，进而有效提高光探测器的响应速度，而且，本发明提供的CsPbX33HgTe量子点材料具有红外光、可见光、紫外线以及X射线波段的响应能力，有效拓宽探测光谱范围。
本发明授权一种CsPbX3/HgTe量子点材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种CsPbX3HgTe量子点材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 1将CsPbX3量子点与硅酸酯在有机溶剂中进行反应，得到硅层包覆的CsPbX3量子点； 2将HgTe量子点置于丁二硫醇和乙醇的混合溶剂中进行混匀，离心得到下沉淀，将所述下沉淀溶于氯苯、巯基乙醇和乙醇的混合溶液中进行液相配体交换，离心，得到配体交换后的HgTe量子点； 3将所述配体交换后的HgTe量子点、硅层包覆的CsPbX3量子点以及一元卤代甲烷置于非极性溶剂中混匀进行反应，加入极性溶剂进行萃取，得到所述CsPbX3HgTe量子点材料； 其中，X选自Br、Cl或I，且步骤1和2不分先后顺序； 所述CsPbX3量子点与硅酸酯的摩尔比为1:8； 所述配体交换后的HgTe量子点、硅层包覆的CsPbX3量子点和一元卤代甲烷的摩尔比为1:1:1。
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