杭州富芯半导体有限公司兰总金获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751754B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511250325.X，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法是由兰总金设计研发完成，并于2025-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法、一种用于屏蔽栅沟槽型功率器件的半导体结构以及一种屏蔽栅沟槽型功率器件，该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底形成有沟槽，在衬底表面及沟槽侧壁形成有第一氧化层；在沟槽中填充多晶硅，且多晶硅表面低于衬底表面的第一氧化层上表面；在多晶硅上方的沟槽侧壁形成侧墙；以侧墙作为硬掩膜，刻蚀沟槽中多晶硅至第一深度；刻蚀沟槽侧壁的第一氧化层至第二深度，且第二深度小于第一深度；去除侧墙，并执行热氧化，在沟槽中的暴露部分形成氧化层；在沟槽的第一深度部分和第二深度部分填充多晶硅。本申请提供的方案能够降低栅源电容，从而提升器件的开启速度。
本发明授权一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底形成有沟槽，在所述衬底表面及沟槽侧壁形成有第一氧化层； 在所述沟槽中填充多晶硅，且所述多晶硅表面低于所述衬底表面的第一氧化层上表面； 在所述多晶硅上方的沟槽侧壁形成侧墙； 以所述侧墙作为硬掩膜，刻蚀所述沟槽中多晶硅至第一深度； 刻蚀所述沟槽侧壁的第一氧化层至第二深度，且所述第二深度小于所述第一深度； 去除所述侧墙，并执行热氧化，在所述沟槽中的暴露部分形成氧化层； 在所述沟槽的第一深度部分和第二深度部分填充多晶硅。
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