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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730780B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511135008.3，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体结构及其形成方法是由宋逸贤设计研发完成，并于2025-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；漂移区，位于基底中，漂移区中具有第一型掺杂离子，漂移区包括多个掺杂离子浓度不同的子漂移区，靠近基底顶面一侧的任一子漂移区位于相邻的另一子漂移区中，且沿基底底面指向基底顶面的方向，各个子漂移区的掺杂离子浓度递增；第一体区，位于漂移区侧部的基底中，第一体区中具有第二型掺杂离子；栅极结构，位于基底上，且覆盖部分的漂移区和部分的第一体区；漏极掺杂区，位于栅极结构一侧，且位于漂移区中掺杂离子浓度最大的子漂移区内。由于各个子漂移区的掺杂离子浓度递增，有利于增大漂移区的掺杂离子的平均浓度，从而降低了半导体结构的导通电阻。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 漂移区，位于所述基底中，包括第一子漂移区、以及位于所述第一子漂移区中的第二子漂移区，所述漂移区中具有第一型掺杂离子，所述漂移区包括多个掺杂离子浓度不同的子漂移区，靠近所述基底顶面一侧的任一所述子漂移区位于相邻的另一所述子漂移区中，且沿所述基底底面指向所述基底顶面的方向，各个所述子漂移区的掺杂离子浓度递增； 第一体区，位于所述漂移区侧部的所述基底中，所述第一体区中具有与所述第一型掺杂离子的导电类型不同的第二型掺杂离子； 第二体区，位于所述第一体区的底部、以及所述第一体区和所述第二子漂移区之间的所述基底中； 第三体区，位于所述第二体区底部的所述基底中，所述第三体区与所述第二体区、所述第二子漂移区、以及所述第一子漂移区均相接触，所述第三体区中具有所述第二型掺杂离子，所述第三体区的掺杂离子浓度小于所述第二体区的掺杂离子浓度； 栅极结构，位于所述基底上，且覆盖部分的所述漂移区和部分的所述第一体区； 漏极掺杂区，位于所述栅极结构一侧，且位于所述漂移区中掺杂离子浓度最大的所述子漂移区内； 源极掺杂区，位于所述栅极结构另一侧的所述第一体区内。

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