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龙图腾网获悉广东致能半导体有限公司;徐州致能半导体有限公司申请的专利一种双向常闭型器件及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120709164B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511203275.X，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权一种双向常闭型器件及其封装方法是由谭笑;吴俊峰;刘泰;闫洪阳;刘庆波;黎子兰设计研发完成，并于2025-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双向常闭型器件及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种双向常闭型器件及其封装方法，所述封装方法包括：对双向耗尽型半导体芯片进行电极的扇出封装以得到塑封体超出双向耗尽型半导体芯片本体的第一封装结构件，并在第一封装结构件正面表面形成第一重布线层，所述第一封装结构件包括水平排布的第一区、第二区和第三区，第二区内塑封所述双向耗尽型半导体芯片，所述第一区和第三区内分别包括散热通道；所述第一重布线层包括第一级联金属层和第二级联金属层；分别在第一级联金属层上贴装第一增强型半导体芯片，在第二级联金属层上贴装第二增强型半导体芯片。本发明缩小了双向常闭型器件的芯片面积，降低了寄生参数，提高了器件的整体散热效果。

本发明授权一种双向常闭型器件及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种双向常闭型器件的封装方法，所述双向常闭型器件包括第一增强型半导体芯片、双向耗尽型半导体芯片和第二增强型半导体芯片，所述双向耗尽型半导体芯片包括多个第一芯片电极，所述第一增强型半导体芯片包括多个第二芯片电极，所述第二增强型半导体芯片包括多个第三芯片电极，其特征在于，所述双向常闭型器件的封装方法包括： 对双向耗尽型半导体芯片进行电极的扇出封装以得到塑封体超出双向耗尽型半导体芯片本体的第一封装结构件，并在第一封装结构件正面表面形成第一重布线层，所述第一封装结构件包括水平排布的第一区、第二区和第三区，第二区内塑封所述双向耗尽型半导体芯片，所述第一区和第三区内分别包括散热通道；所述第一重布线层包括双向耗尽型半导体芯片的第一芯片电极扇出金属层和至少覆盖第一区正面部分表面的第一级联金属层、至少覆盖第三区正面部分表面的第二级联金属层； 分别在第一级联金属层上贴装第一增强型半导体芯片，在第二级联金属层上贴装第二增强型半导体芯片以得到第二封装结构件；以及 根据双向常闭型器件的电极数量要求以及相应的电气连接关系对第二封装结构件中的第一芯片电极扇出金属层、第二芯片电极和第三芯片电极进行电极引出处理和塑封以得到所述双向常闭型器件。

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