买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉广东致能半导体有限公司;徐州致能半导体有限公司申请的专利一种半导体级联器件及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120709163B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511203272.6，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权一种半导体级联器件及其封装方法是由吴俊峰;闫洪阳;刘杉;谭笑;刘庆波;黎子兰设计研发完成，并于2025-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体级联器件及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体级联器件及其封装方法，属于半导体封装技术领域。半导体级联器件的封装方法包括：对第一半导体芯片进行电极的扇出封装以得到第三半导体芯片，并在第三半导体芯片正面表面形成第一重布线层，其中，所述第三半导体芯片包括横向排布的第一区和第二区，第一区内封装所述第一半导体芯片，所述第二区内包括散热通路；所述第一重布线层包括第一半导体芯片的第一电极扇出金属层和至少覆盖第二区正面部分表面的级联金属层；在级联金属层上贴装第二半导体芯片；进行金属互联、塑封以得到半导体级联器件。本发明缩小了半导体芯片面积，降低了寄生参数，提高了器件的整体散热效果。

本发明授权一种半导体级联器件及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体级联器件的封装方法，所述半导体级联器件包括具有电气连接关系的第一半导体芯片和第二半导体芯片，所述第一半导体芯片包括多个第一电极，所述第二半导体芯片包括多个第二电极，其特征在于，所述半导体级联器件的封装方法包括： 对第一半导体芯片进行电极的扇出封装以得到第三半导体芯片，并在所述第三半导体芯片正面表面形成第一重布线层，其中，所述第三半导体芯片包括横向排布的第一区和第二区，所述第一区内封装所述第一半导体芯片，所述第二区内包括散热通路；所述第一重布线层包括所述第一半导体芯片的第一电极扇出金属层和至少覆盖第二区正面部分表面的级联金属层，所述级联金属层与所述第二区内的散热通路相连接； 在所述级联金属层上贴装第二半导体芯片； 对第一电极扇出金属层和第二半导体芯片的第二电极进行金属互联以实现所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的电气连接关系并得到包括了所述半导体级联器件的多个器件电极的结构体；以及 对实现了金属互联的结构体进行塑封以得到所述半导体级联器件。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广东致能半导体有限公司;徐州致能半导体有限公司，其通讯地址为：518100 广东省深圳市宝安区新安街道海滨社区宝兴路6号海纳百川总部大厦A座3层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。