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龙图腾网获悉青岛佳恩半导体科技有限公司申请的专利一种嵌入式双面IGBT模块封装结构和制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120565535B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510510960.0，技术领域涉及：H10W70/40；该发明授权一种嵌入式双面IGBT模块封装结构和制作方法是由王丕龙;王新强;杨玉珍设计研发完成，并于2025-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种嵌入式双面IGBT模块封装结构和制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种嵌入式双面IGBT模块封装结构和制作方法，属于电子器件技术领域，包括P型基区，P型基区包括基板，基板的上方嵌设IGBT芯片，并集成续流二极管芯片，下方的槽体内嵌设超快恢复二极管，P型基区的上方设置有超低感抗电极层，超低感抗电极层与P型基区之间设置有多晶硅栅极阵列，多晶硅栅极阵列由多个多晶硅栅极组成，其栅氧层通过原子层沉积技术通过交替引入氧化铝和氧化铪，在多晶硅栅极阵列表面逐层沉积薄膜，形成多层结构，P型基区的下方设置有背面互联层，背面互联层的上方设置有复合缓冲层，复合缓冲层与P型基区之间设置有N型梯度掺杂漂移区，解决了传统的IGBT模块通常为单面设计，导致功率密度较低的问题。

本发明授权一种嵌入式双面IGBT模块封装结构和制作方法在权利要求书中公布了：1.一种嵌入式双面IGBT模块封装结构，其特征在于，包括P型基区10，所述P型基区10包括基板101，所述基板101的上方嵌设IGBT芯片102，并集成续流二极管芯片，下方的槽体内嵌设超快恢复二极管，所述P型基区10的上方设置有超低感抗电极层30，所述超低感抗电极层30采用梯度铜+石墨烯复合材料，为分形树枝状铜电极设计，所述超低感抗电极层30与所述P型基区10之间设置有多晶硅栅极阵列20，所述多晶硅栅极阵列20由多个多晶硅栅极组成，在多晶硅栅极阵列20表面逐层沉积薄膜，形成多层结构，所述P型基区10的下方设置有背面互联层40，所述背面互联层40为钛+镍+银的多层结构，呈蜂窝状银网格设计，所述背面互联层40的上方设置有复合缓冲层60，所述复合缓冲层60由多层不同掺杂浓度的半导体材料组成，复合层包括二氧化硅、氮化铝和钼，所述复合缓冲层60与所述P型基区10之间设置有N型梯度掺杂漂移区50。

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