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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利一种高压抗辐照碳化硅MOSFET结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120475743B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510823664.6，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种高压抗辐照碳化硅MOSFET结构及其制备方法是由梁世维;米卢;杨志帆设计研发完成，并于2025-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压抗辐照碳化硅MOSFET结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高压抗辐照碳化硅MOSFET结构及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括：漏极金属；位于漏极金属上的SiCP++N++网络；位于P++N++网络上的N‑‑漂移区；位于N‑‑漂移区上的N型载流子存储层；位于N型载流子存储层上的MOS结构、层间介质和源极金属层；所述SiCP++N++网络中，P++网络比N++网络更深；所述N型载流子存储层内设有多个周期性重复的背靠背板凳型P阱，所述P阱区内设有N++阱区和P11++区；源极金属与所述P11++区、N++阱区相连。本发明通过结构创新与工艺协同优化，系统性解决了传统碳化硅MOSFET在高压辐照环境下的可靠性难题，为极端环境下功率器件的设计提供了技术方案。

本发明授权一种高压抗辐照碳化硅MOSFET结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高压抗辐照碳化硅MOSFET结构，其特征在于，包括： 漏极金属； 位于所述漏极金属上的SiCP+N+网络； 位于所述P+N+网络上的N-漂移区； 位于所述N-漂移区上的N型载流子存储层； 位于所述N型载流子存储层上的MOS结构、层间介质和源极金属层； 其中，所述SiCP+N+网络中，P+网络比N+网络更深，用于对N-漂移区和N+网络界面的N-N+结形成屏蔽保护，抑制单粒子辐照引起的背面雪崩击穿； 所述N型载流子存储层内设有多个周期性重复的背靠背板凳型P阱，所述P阱内设有N+阱区和P1+区，所述N+阱区边界和P阱边界之间形成沟道区； 所述MOS结构包括有多晶硅，多晶硅和碳化硅半导体之间设有薄层二氧化硅作为栅介质，所述多晶硅、栅介质和碳化硅半导体共同形成MOS结构； 所述沟道区位于MOS结构的多晶硅下方； 源极金属层与所述P1+区、N+阱区相连； 所述源极金属层和MOS结构之间设置有层间介质； 相邻背靠背板凳型的P阱形成下窄上宽的JFET结构，以增加单粒子辐照瞬间空穴抽取路径面积。

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