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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法、存储阵列结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120166690B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311738075.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法、存储阵列结构是由唐怡;袁子豪;李辉辉设计研发完成，并于2023-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法、存储阵列结构在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制备方法、存储阵列结构，半导体结构包括基底；位于基底上的写晶体管以及读晶体管，写晶体管包括第一栅极、环绕第一栅极的第一半导体层、沿第一方向延伸的写位线以及沿第二方向延伸的写字线，写位线与第一半导体层的第一端电接触，写字线与第一栅极电接触；读晶体管包括第二半导体层、第二栅极、沿第二方向延伸的读位线以及沿第一方向延伸的读字线，第二栅极与第一半导体层的第二端电接触，读位线与第二半导体层沿第一方向的一端电接触；其中，读位线、读字线、写字线以及写位线在基底的正投影之间互不重叠，且写位线与读字线位于第一半导体层沿第三方向的两侧。

本发明授权半导体结构及其制备方法、存储阵列结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于， 包括： 基底； 位于所述基底上的写晶体管，所述写晶体管包括第一栅极、环绕所述第一栅极的第一半导体层、沿第一方向延伸的写位线以及沿第二方向延伸的写字线，所述第一半导体层包括沿第三方向相对的第一端以及第二端，所述写位线与所述第一端电接触，所述写字线与所述第一栅极电接触； 读晶体管，所述读晶体管包括第二半导体层、第二栅极、沿第二方向延伸的读位线以及沿第一方向延伸的读字线，所述第二栅极与所述第二端电接触，所述读位线与所述第二半导体层沿所述第一方向的一端电接触，所述读字线位于所述第二半导体层沿第三方向的一侧； 其中，所述读位线、读字线、所述写字线以及所述写位线在所述基底的正投影之间互不重叠，且所述写位线与所述读字线位于所述第一半导体层沿所述第三方向的两侧，所述写位线与所述读字线位于所述第二半导体层沿所述第三方向的两侧； 所述读晶体管还包括：沿第二方向延伸的导电层以及第三栅极；所述第三栅极位于所述第二半导体层沿第三方向的一侧，所述读字线与所述第三栅极电接触；所述第二半导体层包括沿所述第一方向相对设置的第三端以及第四端，所述读位线与所述第三端电接触，所述导电层与所述第四端电接触。

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