长鑫科技集团股份有限公司黄猛获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120152267B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311689269.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由黄猛设计研发完成，并于2023-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：基底；第一导电线，位于基底上，沿第一方向延伸，且多条第一导电线沿第二方向排列，第二方向与第一方向相交；存储阵列，位于第一导电线上，且与第一导电线连接；第二导电线，连接存储阵列，沿第三方向延伸，第三方向与第一方向相交；第一互连结构，位于第一导电线上，且与第一导电线电连接；第二互连结构，位于第二导电线上，且与第二导电线连接。通过在基底上设置多条第一导电线，并在第一导电线上设置存储阵列，使得第一导电线位于存储阵列的下方，不占用存储阵列上方的空间，进而为第二导电线留出了更大的制备空间，降低了制备第一导电线和第二导电线的难度。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 第一导电线，位于所述基底上，沿第一方向延伸，且多条所述第一导电线沿第二方向排列，所述第二方向与所述第一方向相交； 存储阵列，位于所述第一导电线上，且与所述第一导电线连接； 第二导电线，连接所述存储阵列，沿第三方向延伸，所述第三方向与所述第一方向相交，多条所述第二导电线沿竖直方向排布，所述存储阵列包括位于各所述第二导电线沿所述第一方向的相对两侧的存储单元，位于同一所述第二导电线相对两侧的所述存储单元在所述第三方向上错位排布； 第一互连结构，沿所述竖直方向延伸且位于所述第一导电线上，且与所述第一导电线电连接； 第二互连结构，沿所述竖直方向延伸且位于所述第二导电线上，且与所述第二导电线连接。
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