长鑫科技集团股份有限公司唐怡获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120152266B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311686249.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由唐怡设计研发完成，并于2023-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法。所述制造方法包括：提供衬底和位于所述衬底上的叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的半导体层和层间绝缘层；形成贯穿所述叠层结构的多个沟道孔；其中，位于相邻所述沟道孔之间的半导体层用于形成背栅电极；对所述沟道孔侧壁暴露出的半导体层进行氧化处理，以形成第一栅介质层；依次形成覆盖所述沟道孔侧壁的沟道层、第二栅介质层和栅电极；其中，所述沟道层、所述第二栅介质层和所述栅电极共同形成晶体管，所述背栅电极用于调节所述晶体管的阈值电压。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括： 提供衬底和位于所述衬底上的叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的半导体层和层间绝缘层； 形成贯穿所述叠层结构的多个沟道孔；其中，位于相邻所述沟道孔之间的半导体层用于形成背栅电极； 对所述沟道孔侧壁暴露出的半导体层进行氧化处理，以形成第一栅介质层； 依次形成覆盖所述沟道孔侧壁的沟道层、第二栅介质层和栅电极；其中，所述沟道层、所述第二栅介质层和所述栅电极共同形成晶体管，所述背栅电极用于调节所述晶体管的阈值电压。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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