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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种动态比较器及其电压校准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120090604B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510160297.6，技术领域涉及：H03K5/24；该发明授权一种动态比较器及其电压校准方法是由艾宇航;李迪;张文轩;许建强;刘云龙设计研发完成，并于2025-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种动态比较器及其电压校准方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种动态比较器及其电压校准方法，涉及动态比较器领域，用以通过不牺牲动态比较器功耗、效率的方式改善动态比较器的比较精度。本发明在输入对管的尾电流管上接入回踢噪声抑制电路来对时钟信号的切换时间进行调整，在输入对管的再生节点接入校准晶体对管，并通过电阻串DAC调整参考电压来校准失调电压。本发明通过调整尾电流管时钟信号的摆率来有效抑制回踢噪声，通过两级电阻串DAC提升校准速度，复用调整的时钟信号来控制校准晶体对管，提高了校准精度。

本发明授权一种动态比较器及其电压校准方法在权利要求书中公布了：1.一种动态比较器，其特征在于，所述动态比较器包括负极输入端VIN、正极输入端VIP、负极输出端VOUTN和正极输出端VOUTP；所述负极输入端VIN连接NMOS管M1的栅极，所述正极输入端VIP连接NMOS管M2的栅极，所述NMOS管M1的源极和所述NMOS管M2的源极并联到NMOS管M3的漏极，所述NMOS管M3的源极接地，所述NMOS管M3的栅极接入时钟信号；所述NMOS管M1的漏极连接NMOS管M5的源极和PMOS管M11的漏极；所述NMOS管M2的漏极连接NMOS管M6的源极和PMOS管M12的漏极；所述NMOS管M5的栅极分别连接PMOS管M7的栅极、PMOS管M8的漏极、PMOS管M10的漏极、所述正极输出端VOUTP和所述NMOS管M6的漏极；所述NMOS管M6的栅极分别连接所述PMOS管M8的栅极、所述PMOS管M7的漏极、PMOS管M9的漏极、所述负极输出端VOUTN和所述NMOS管M5的漏极；所述PMOS管M7、PMOS管M8、PMOS管M9、PMOS管M10、PMOS管M11和PMOS管M12的源极均接入电源AVDD；所述PMOS管M9、PMOS管M10、PMOS管M11和PMOS管M12的栅极分别接入时钟信号； 所述时钟信号经回踢噪声抑制电路接入所述NMOS管M3的栅极，所述回踢噪声抑制电路被配置为增加所述时钟信号的上升沿的时间；所述回踢噪声抑制电路由多级CMOS传输门并联而成。

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