东京毅力科创株式会社高山贵光获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利等离子体处理装置和控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120077469B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202480003932.3，技术领域涉及：H10P30/20；该发明授权等离子体处理装置和控制方法是由高山贵光设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体处理装置和控制方法在说明书摘要公布了：本发明涉及等离子体处理装置和控制方法。等离子体处理装置包括腔室、基片支承部和上部电极。基片支承部配置在腔室内。上部电极具有多个气体孔，设置在基片支承部的上方。在ON期间，从高频电源向高频电极供给生成源高频电功率，从第一偏置电源向基片支承部供给电偏置。在ON期间的包括开始时间点的第一期间，从第二偏置电源向上部电极施加电压水平具有第一绝对值的负电压。在ON期间内的第一期间后的第二期间，从第二偏置电源向上部电极施加电压水平具有第二绝对值的负电压。第一绝对值小于第二绝对值。
本发明授权等离子体处理装置和控制方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括： 腔室； 配置在所述腔室内的基片支承部； 配置在所述基片支承部的上方的上部电极，在该上部电极形成有用于向所述腔室内导入气体的多个气体孔； 与作为高频电极的所述基片支承部或所述上部电极电耦合的高频电源，该高频电源构成为能够产生用于在所述腔室内从气体生成等离子体的生成源高频电功率； 与所述基片支承部电耦合的第一偏置电源，该第一偏置电源构成为能够产生用于将所述腔室内的离子吸引到所述基片支承部上的基片的电偏置； 构成为能够向所述上部电极施加负电压的第二偏置电源；和 控制部， 所述控制部构成为， 能够控制所述高频电源以在ON期间向所述高频电极供给所述生成源高频电功率， 能够控制所述第一偏置电源，以在所述ON期间向所述基片支承部供给所述电偏置， 能够控制所述第二偏置电源，以在所述ON期间的包括开始时间点的第一期间，向所述上部电极施加电压水平具有第一绝对值的所述负电压，并且 能够控制所述第二偏置电源，以在所述ON期间内的所述第一期间后的第二期间，向所述上部电极施加电压水平具有第二绝对值的所述负电压， 所述第一绝对值小于所述第二绝对值。
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