买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体器件及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120071984B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311616336.6，技术领域涉及：G11C11/34；该发明授权半导体器件及其制造方法、电子设备是由李志轩;周孟龙;余泳设计研发完成，并于2023-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其制造方法以及电子设备，所述半导体器件包括：第一读取晶体管，包括与电容器连接的第一电极、与输入信号端连接的第二电极和与第一写入晶体管连接的第一栅电极；第二读取晶体管，包括与电容器连接的第三电极、与接地信号端连接的第四电极和与第二写入晶体管连接的第二栅电极；第一写入晶体管，包括与第一位线连接的第五电极、与第一栅电极连接的第六电极和与字线连接的第三栅电极；第二写入晶体管，包括与第二栅电极连接的第七电极、与第二位线连接的第八电极和与字线连接的第四栅电极；电容器还与读出信号端连接。本申请实施例的半导体器件的电路结构较简单，有利于实现结构更简单的器件物理结构和简化的工艺。

本发明授权半导体器件及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一读取晶体管、第二读取晶体管、第一写入晶体管、第二写入晶体管和电容器； 所述第一读取晶体管包括与所述电容器连接的第一电极、与输入信号端连接的第二电极和与所述第一写入晶体管连接的第一栅电极； 所述第二读取晶体管包括与所述电容器连接的第三电极、与接地信号端连接的第四电极和与所述第二写入晶体管连接的第二栅电极； 所述第一写入晶体管包括与第一位线连接的第五电极、与所述第一栅电极连接的第六电极和与字线连接的第三栅电极； 所述第二写入晶体管包括与所述第二栅电极连接的第七电极、与第二位线连接的第八电极和与所述字线连接的第四栅电极； 所述电容器的一端同时与所述第一电极和第三电极连接，另一端与读出信号端连接； 其中，所述第一读取晶体管和所述第二读取晶体管在衬底上间隔排列； 所述第一写入晶体管堆叠于所述第一读取晶体管和所述第二读取晶体管的上方； 所述第二写入晶体管堆叠于所述第一读取晶体管和所述第二读取晶体管的上方； 所述第一写入晶体管和所述第二写入晶体管堆叠于所述衬底上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京超弦存储器研究院，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十街18号院11号楼四层401室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。