长鑫科技集团股份有限公司黄猛获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利存储器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120050925B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311542322.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器及其制作方法是由黄猛设计研发完成，并于2023-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种存储器及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决存储器良率低的技术问题。该存储器包括：位线、晶体管、电容器、接触结构和支撑结构，多条位线沿第一方向间隔设置，多个晶体管沿第一方向间隔设置且沿第二方向间隔设置，沿第一方向的多个晶体管对应电连接一条位线；电容器与每个晶体管对应电连接，沿第三方向，电容器和位线位于晶体管的两侧；每个接触结构对应连接一条位线；多个支撑结构沿第二方向间隔设置且贯穿多条位线，相邻两个接触结构之间具有至少一个支撑结构，以对多条位线进行支撑，使得相邻两条位线保持间隔，避免位线坍塌而接触，提高存储器制作过程的稳定性，保证存储器的性能，提高存储器的良率。
本发明授权存储器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括： 多条位线，所述多条位线沿第一方向间隔设置； 多个晶体管，所述多个晶体管沿所述第一方向间隔设置且沿第二方向间隔设置，沿所述第一方向的多个所述晶体管对应电连接一条所述位线； 与每个所述晶体管对应电连接的电容器，沿第三方向，所述电容器和所述位线位于所述晶体管的两侧，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向两两交叉； 多个接触结构，所述多个接触结构沿所述第二方向间隔设置且贯穿部分所述位线，每个所述接触结构对应连接一条所述位线； 多个支撑结构，所述多个支撑结构沿所述第二方向间隔设置且贯穿所述多条位线，相邻两个所述接触结构之间具有至少一个所述支撑结构。
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