北京超弦存储器研究院戴瑾获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利存储器及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120035126B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311579542.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器及其制造方法、电子设备是由戴瑾;梁静;李志轩;余泳设计研发完成，并于2023-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种存储器及其制造方法、电子设备。本申请的存储器包括衬底和存储单元，存储单元包括沿远离衬底的方向依次设置的读晶体管和写晶体管；读晶体管包括第一栅极、至少部分环绕第一栅极的第一沟道以及与第一沟道分别连接的第一源漏极和第二源漏极；写晶体管包括环形的第二沟道、位于第二沟道靠近衬底一侧的第三源漏极、位于第二沟道远离衬底一侧的第四源漏极以及至少部分环绕第二沟道的第二栅极；其中读晶体管的第一栅极与写晶体管的第三源漏极电连接。本申请的器件架构能够降低漏电并减少功耗以及减小面积。
本发明授权存储器及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括衬底和存储单元，所述存储单元包括沿远离所述衬底的方向依次设置的读晶体管和写晶体管； 所述读晶体管包括第一栅极、至少部分环绕所述第一栅极的第一沟道以及与所述第一沟道分别连接的第一源漏极和第二源漏极； 所述写晶体管包括环形的第二沟道、位于所述第二沟道靠近所述衬底一侧的第三源漏极、位于所述第二沟道远离所述衬底一侧的第四源漏极以及至少部分环绕第二沟道的第二栅极； 其中所述读晶体管的所述第一栅极与所述写晶体管的所述第三源漏极电连接； 所述第二沟道包括P型或N型掺杂的单晶硅或多晶硅。
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