浙江爱旭太阳能科技有限公司王渊获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江爱旭太阳能科技有限公司申请的专利一种背接触电池及其制备方法、光伏系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997663B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411997995.3，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种背接触电池及其制备方法、光伏系统是由王渊;韦沛成;邱开富;王永谦;陈刚设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种背接触电池及其制备方法、光伏系统在说明书摘要公布了：本发明涉及背接触电池技术领域，具体公开一种背接触电池及其制备方法、光伏系统，包括：硅衬底，硅衬底的背光面具有若干交替排布的第一区域及第二区域；第一半导体复合层，设于第一区域，包括沿远离硅衬底的方向依次设置的隧穿钝化层及第一掺杂层；第二半导体复合层，至少部分设于第二区域，包括沿远离硅衬底的方向依次设置的钝化接触层及第二掺杂层，第二掺杂层的极性与第一掺杂层的极性相反；复合TCO层，设于第一掺杂层及第二掺杂层背向硅衬底的一侧的至少部分区域，复合TCO层包括沿远离硅衬底的方向依次设置的第一TCO层及第二TCO层，第一TCO层上分布有若干孔洞，孔洞至少在第一TCO层远离第二TCO层的一侧设置有开口。本发明的背接触电池结构设置，能够有效提升对光线的背反射效果，提高光线利用率，进而提高电池转换效率。
本发明授权一种背接触电池及其制备方法、光伏系统在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池，其特征在于，包括： 硅衬底，所述硅衬底的背光面具有若干交替排布的第一区域及第二区域； 第一半导体复合层，设于所述第一区域，包括沿远离所述硅衬底的方向依次设置的隧穿钝化层及第一掺杂层； 第二半导体复合层，至少部分设于所述第二区域，包括沿远离所述硅衬底的方向依次设置的钝化接触层及第二掺杂层，所述第二掺杂层的极性与所述第一掺杂层的极性相反； 复合TCO层，设于所述第一掺杂层及所述第二掺杂层背向所述硅衬底的一侧的至少部分区域， 所述复合TCO层包括沿远离所述硅衬底的方向依次设置的第一TCO层及第二TCO层，所述第一TCO层上分布有若干孔洞，所述孔洞至少在所述第一TCO层远离所述第二TCO层的一侧设置有开口。
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