青岛海存微电子有限公司范晓飞获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉青岛海存微电子有限公司申请的专利一种半导体存储结构及阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997515B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510457280.7，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权一种半导体存储结构及阵列是由范晓飞;潘伟良;王林霞;张超;刘宏喜;王戈飞设计研发完成，并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体存储结构及阵列在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，公开一种半导体存储结构及阵列，半导体存储结构至少包括：多个半导体存储单元、顶电极和与每个所述半导体存储单元对应的选通器件；每个所述半导体存储单元至少包括自旋轨道矩层和设置于所述自旋轨道矩层上方的磁隧道结；所述顶电极位于多个所述磁隧道结上方，且多个所述磁隧道结共用同一所述顶电极，在所述顶电极与每个所述半导体存储单元之间设置有对应的互连通孔；每个所述选通器件分别设置于对应的所述互连通孔内，且所述选通器件两端分别电连接对应的所述磁隧道结和所述顶电极。本申请可以减少晶体管和布线数量，节省晶体管和布线占用的版图面积，从而提高存储密度。
本发明授权一种半导体存储结构及阵列在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储结构，其特征在于，至少包括：多个半导体存储单元、顶电极、顶电极互连通孔和与每个所述半导体存储单元对应的选通器件； 每个所述半导体存储单元至少包括自旋轨道矩层和设置于所述自旋轨道矩层上方的磁隧道结； 所述顶电极位于多个所述磁隧道结上方，且多个所述磁隧道结共用同一所述顶电极，所述顶电极一端与所述顶电极互连通孔电连接，在所述顶电极与每个所述半导体存储单元之间设置有对应的互连通孔； 每个所述选通器件分别设置于对应的所述互连通孔内，且所述选通器件两端分别电连接对应的所述磁隧道结和所述顶电极； 其中，每个所述半导体存储单元对应的写入通路与对应的读取通路通过所述顶电极互连通孔电连接，以共用信号线。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人青岛海存微电子有限公司，其通讯地址为：266404 山东省青岛市黄岛区映山红路117号1栋1605室(原黄岛区科教二路117号1栋研发中心办公室)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励