长江存储科技有限责任公司宋冬门获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件及其制备方法、存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947081B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311461867.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制备方法、存储系统是由宋冬门;许明亮;唐兆云;陈赫;华文宇;刘藩东;徐文祥;汪亚;杨子晋;霍宗亮设计研发完成，并于2023-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法、存储系统在说明书摘要公布了：本申请实施方式提供了一种半导体器件及制备方法、存储器系统。半导体器件包括：阵列排布的半导体柱和字线结构。半导体柱沿第一方向延伸并包括至少一个侧面，其中多个半导体柱沿与第一方向垂直的第二方向呈行排布；字线结构位于相邻的第一行半导体柱与第二行半导体柱之间，并包括第一字线结构以及与第一字线结构间隔设置的第二字线结构，其中第一字线结构与第一行半导体柱的侧面连接；以及第二字线结构与第二行半导体柱的侧面连接。
本发明授权半导体器件及其制备方法、存储系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体柱，沿第一方向延伸并包括至少一个侧面，其中多个所述半导体柱沿与所述第一方向垂直的第二方向呈行排布； 字线结构，位于相邻的第一行半导体柱与第二行半导体柱之间，并包括第一字线结构、第二字线结构和第三字线结构，所述第二字线结构与所述第一字线结构间隔设置，所述第三字线结构在所述第二方向设置于所述第一字线结构与所述第二字线结构之间， 其中，所述第一字线结构与所述第一行半导体柱的侧面连接； 所述第二字线结构与所述第二行半导体柱的侧面连接；以及 所述第三字线结构包括彼此连接的第一分部和第二分部；所述第一分部沿所述第一方向在所述半导体柱的侧面延伸；以及所述第二分部沿垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向延伸。
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