东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司张生睿获国家专利权
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龙图腾网获悉东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司申请的专利一种掩模图形确定方法、设备、介质及产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119937235B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510287654.5，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权一种掩模图形确定方法、设备、介质及产品是由张生睿;俞宗强;施伟杰;姜鸿;王航宇;王成瑾;赵丰胜;龚炎彬设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种掩模图形确定方法、设备、介质及产品在说明书摘要公布了：本申请公开了一种掩模图形确定方法、设备、介质及产品，应用于半导体技术领域。本申请提供的掩模图形确定方法，是基于多个第二采样点确定目标掩模图形的，而第二采样点是基于第一光刻图形与第一刻蚀图形在第一采样点对应位置处的第一刻蚀偏差数据，对所述第一采样点进行刻蚀偏差修正得到的。而第一采样点能够表征所述第一目标刻蚀图形的图形轮廓，所以本申请通过对多个采样点分别进行修正的方式，能够较为准确地修正曲线轮廓的刻蚀偏差，所以，本申请实施例能够高效地完成曲线图形对应的掩模图形的设计。
本发明授权一种掩模图形确定方法、设备、介质及产品在权利要求书中公布了：1.一种掩模图形确定方法，其特征在于，包括： 获取第一目标刻蚀图形以及用于表征所述第一目标刻蚀图形的图形轮廓的多个第一采样点；所述第一目标刻蚀图形为硅光器件图形，所述图形轮廓包括曲线轮廓； 对所述第一目标刻蚀图形进行光学邻近效应修正，得到第一掩模图形； 对所述第一掩模图形进行光刻仿真，得到第一光刻图形，以及对所述第一掩模图形进行光刻刻蚀仿真，得到第一刻蚀图形； 对于每个所述第一采样点，分别确定在所述第一光刻图形与所述第一刻蚀图形上在所述第一采样点对应位置处的第一刻蚀偏差数据，所述第一刻蚀偏差数据包括所述第一采样点的偏移距离和偏移方向； 对于每个所述第一采样点，基于所述第一刻蚀偏差数据，将所述第一采样点在对应的所述偏移方向的反方向上移动相应的所述偏移距离，以对所述第一采样点进行刻蚀偏差修正，得到多个第二采样点； 基于所述多个第二采样点，生成目标光刻图形，所述目标光刻图形经过曼哈顿化处理； 对所述目标光刻图形进行光学邻近效应修正，确定目标掩模图形。
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