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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种高密度半导体存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119922917B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411933697.8，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权一种高密度半导体存储器及其制备方法是由周夕淋;陈雨晴;宋志棠设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高密度半导体存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高密度半导体存储器及其制备方法，包括从下到上依次设置的半导体衬底、第一绝缘介质层、第二绝缘介质层、第三绝缘介质层；所述第一绝缘介质层内设有互连底电极，其底部连接半导体衬底内的有源区，顶部连接第二绝缘介质层内的底部电极；所述第三绝缘介质层内设有硫系化合物材料单元和顶部电极，与底部电极连接形成半导体存储单元；所述硫系化合物材料单元一侧间隔设有硫系化合物材料伪单元；所述第三绝缘介质层内设有第四绝缘介质层；所述半导体存储单元上设有互连顶电极，与顶部电极相连；所述半导体衬底上设有接触电极，与有源区、互连顶电极相连。本发明实现存储单元相互独立，从而获得低压低功耗、高密度半导体存储器。

本发明授权一种高密度半导体存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高密度半导体存储器，其特征在于，包括从下到上依次设置的半导体衬底10、第一绝缘介质层11、第二绝缘介质层12、第三绝缘介质层13；所述半导体衬底10内设有有源区101；所述第一绝缘介质层11内设有互连底电极14，与所述有源区101相连；所述第二绝缘介质层12内设有底电极15，与所述互连底电极14相连；所述第三绝缘介质层13内设有硫系化合物材料单元16和顶部电极19；所述底部电极15、硫系化合物材料单元16和顶部电极19由下至上依次连接形成半导体存储单元；所述硫系化合物材料单元16一侧间隔设有硫系化合物材料伪单元17，与所述互连底电极14、底电极15和顶部电极19相隔离；所述硫系化合物材料单元16和硫系化合物材料伪单元17均包括由下至上的硫系化合物材料层161和导电介质层162；所述第三绝缘介质层13内设有第四绝缘介质层18，包覆所述硫系化合物材料单元16和硫系化合物材料伪单元17；所述半导体存储单元上设有互连顶电极21，与所述顶部电极19相连；所述半导体衬底10上设有接触电极20，与所述有源区101、互连顶电极21相连。

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