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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利基于磷化铟衬底的短波双波段红外探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119907317B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510037301.X，技术领域涉及：H10F30/21；该发明授权基于磷化铟衬底的短波双波段红外探测器及其制备方法是由郝宏玥;牛智川;张世豪;徐应强;吴东海;王国伟;蒋洞微;倪海桥;苏向斌;王硕设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于磷化铟衬底的短波双波段红外探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及红外光电材料与器件技术领域，尤其涉及一种基于磷化铟衬底的短波双波段红外探测器及其制备方法，以N型掺杂磷化铟衬底作为器件的基础，在N型掺杂磷化铟衬底上依次生长磷化铟吸收层、第一P型接触层、第二P型接触层、短波红外超晶格吸收层、N型接触层。金属下电极与N型掺杂磷化铟衬底接触，金属上电极N型接触层接触，其中心有通光孔。本发明通过利用N型掺杂磷化铟衬底自身的带隙特性来参与光谱吸收，转化为电信号进行探测，同时采用背靠背二极管结构，可以通过调节偏压实现对短波双波段红外的不同响应，由于N型掺杂磷化铟衬底参与了光吸收，因此不需要像传统方法那样去掉衬底，外延结构简单，降低了制作成本并简化了工艺流程。

本发明授权基于磷化铟衬底的短波双波段红外探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于磷化铟衬底的短波双波段红外探测器，其特征在于，包括N型掺杂磷化铟衬底1和沉积于所述N型掺杂磷化铟衬底1上的外延结构，所述外延结构刻蚀成圆柱形，且与所述N型掺杂磷化铟衬底1组成台阶结构，所述台阶结构对应于所述N型掺杂磷化铟衬底1上的部位设置有环形的金属下电极2，所述台阶结构对应于所述外延结构顶部的位置设置有环形的金属上电极3，所述金属上电极3中心形成通光孔4，所述台阶结构除了所述金属下电极2、所述金属上电极3和所述通光孔4对应的区域外，其余区域均依次设置有硫化层和钝化层5； 所述外延结构包括： 磷化铟吸收层6，生长于所述磷化铟衬底1上； 第一P型接触层7，生长于所述磷化铟吸收层6上，所述第一P型接触层7掺杂有磷化铟； 第二P型接触层8，生长于所述第一P型接触层7上，所述第二P型接触层8掺杂有铝镓砷锑合金； 短波红外超晶格吸收层9，生长于所述第二P型接触层8上，所述短波红外超晶格吸收层9为铟砷化镓超晶格和或锑砷化镓超晶格； N型接触层10，生长于所述短波红外超晶格吸收层9上，所述N型接触层10掺杂有铟砷化镓。

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