长江存储科技有限责任公司申津州获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119907231B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311423177.8，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备是由申津州;潘震;伍术;张明康设计研发完成，并于2023-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在增加三维存储器的容量。本发明实施例中提供的三维存储器，中间层具有在厚度方向上的第一侧和第二侧，第一器件层位于中间层的第一侧，第一存储阵列层位于第一器件层背离中间层的一侧，第二器件层位于中间层的第二侧，第二存储阵列层位于第二器件层背离中间层的一侧，从而在中间层的厚度方向上形成层叠设置的第一存储阵列层、第一器件层、中间层、第二器件层、第二存储阵列层的五层结构，在单位面积上具有用于存储的第一存储阵列层和第二存储阵列层，增加了三维存储器的容量。
本发明授权三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器，其特征在于，包括： 中间层，具有在所述中间层的厚度方向上相对的第一侧和第二侧； 第一器件层，所述第一器件层包括多个第一晶体管，所述第一器件层位于所述中间层的第一侧； 第二器件层，所述第二器件层包括多个第二晶体管，所述第二器件层位于所述中间层的第二侧； 第一存储阵列层，所述第一存储阵列层位于所述第一器件层背离所述中间层的一侧； 第二存储阵列层，所述第二存储阵列层位于所述第二器件层背离所述中间层的一侧； 封装基板，所述封装基板上设有连接电路，所述封装基板位于所述第一存储阵列层背离所述中间层的一侧，至少一个所述第一晶体管、所述第一存储阵列层、至少一个所述第二晶体管、以及所述第二存储阵列层均与所述连接电路连接。
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