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龙图腾网获悉昆明物理研究所申请的专利一种宽波段多光谱铟镓砷探测器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894127B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411743616.8，技术领域涉及：H10F39/10；该发明授权一种宽波段多光谱铟镓砷探测器的制备方法是由龚晓霞;宋欣波;范明国;朱琴;王懿;管涛;陆江伟;赵荣;孟宇芳;谈是衔;白兰艳设计研发完成，并于2024-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽波段多光谱铟镓砷探测器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种宽波段多光谱铟镓砷探测器的制备方法，属于铟镓砷探测器技术领域。所述方法通过InP缓冲层、InAsyyP1‑y1‑y过渡层、InxxGa1‑x1‑xAs吸收层和N型InAsyyP1‑y1‑y帽层的设计，制备得到了可室温工作的宽波段，即0.9μm～2.5μm的多光谱铟镓砷探测器；通过将多光谱滤光片阵列集成至铟镓砷探测器背面，实现多个通道的多光谱成像；通过采用电感耦合等离子体化学气相沉积原子层沉积钝化膜并控制沉积条件，实现有效降低器件的暗电流；通过将InP衬底减薄有效抑制了像素之间的波段串扰；通过在减薄后的InP衬底表面沉积背增透膜，实现了减少背面反射，增加透过率；利用对准标记和对准结构，采用倒焊机将读出电路与滤光片倒装对准，实现了滤光片与器件的高精度对准集成，对准精度优于2μm，大大增加了对准精度，且便于操作，在多光谱探测器领域具有良好的应用前景。

本发明授权一种宽波段多光谱铟镓砷探测器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种宽波段多光谱铟镓砷探测器的制备方法，其特征在于： 1在InP衬底上按顺序依次生长InP缓冲层、InAsyP1-y过渡层、InxGa1-xAs吸收层和N型InAsyP1-y帽层； 2利用PECVD在N型InAsyP1-y帽层表面沉积掩膜层； 3在掩膜层上做扩散区光刻，刻蚀除去与像素区域对应的掩膜层，对除去掩膜层的区域进行Zn扩散至InxGa1-xAs吸收层，含Zn掺杂区域形成P型掺杂区； 4在掩膜层上做N型接触区光刻，刻蚀除去对应的掩膜层后，湿法腐蚀除去与N型接触区相对应的N型InAsyP1-y帽层、InxGa1-xAs吸收层以及InAsyP1-y过渡层，在P型掺杂区四周形成N型接触区后，湿法腐蚀去除其余掩膜层； 5在去除掩膜层后裸露的表面上，采用ICPCVD沉积钝化膜，在钝化膜上做欧姆接触区光刻，刻蚀除去P型掺杂区表面部分钝化膜以形成P型与N型欧姆接触区； 6在P型与N型欧姆接触区进行电极图形光刻，然后按顺序依次溅射Ti、Pt、Au金属层作为金属电极，剥离形成P电极和N电极，制备得到多个单焦平面探测器阵列； 7将多个单焦平面探测器阵列进行分割，得到单个焦平面阵列，将单个焦平面阵列连接在读出电路上，读出电路上设有对准标记，单个焦平面阵列的连接位置位于读出电路上除去对准标记以外的位置； 8将InP衬底通过磨抛、腐蚀去除部分，减薄至10μm~60μm；在减薄后的InP衬底表面采用ICPCVD沉积背增透膜，制备得到铟镓砷焦平面探测器芯片； 9将四个表面镀铟的陶瓷方块镀铟面朝上粘接至读出电路上，粘结位置在读出电路上除去铟镓砷焦平面探测器芯片和对准标记以外的位置； 10读出电路上设有对准标记，滤光片上设有对准结构，通过对准标记和对准结构，采用倒焊机将读出电路与滤光片对准集成，制备得到一种宽波段多光谱铟镓砷探测器。

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